Một, Điện trở
Điện trở trong mạch điện được ký hiệu bằng chữ "R" kèm theo số, ví dụ: R1 đại diện cho điện trở có số thứ tự là 1. Tác dụng chính của điện trở trong mạch điện bao gồm phân dòng, hạn chế dòng điện, chia áp, định vị, v.v.

1. Nhận diện thông số: Đơn vị của điện trở là ôm (Ω), các đơn vị nhân là kilôm (KΩ), mêgam (MΩ), v.v. Phương pháp chuyển đổi là: 1 mêgam = 1000 kilôm = 1.000.000 ôm. Có ba phương pháp ghi thông số điện trở: ghi trực tiếp, ghi bằng màu sắc và ghi bằng số.
a. Phương pháp ghi bằng số thường được sử dụng cho các linh kiện nhỏ như tụ điện gắn bề mặt. Ví dụ: 472 biểu thị 47×100Ω (tức là 4,7K); 104 thì biểu thị 100K.

b, Phương pháp đánh dấu vòng màu được sử dụng nhiều, sau đây là một số ví dụ: Điện trở 4 vòng màu Điện trở 5 vòng màu (điện trở chính xác)

2, Vị trí và mối quan hệ của mã màu điện trở như bảng sau:
Màu sắc Số hiệu hiệu quả Tỷ lệ Cho phép sai lệch (%)
Màu bạc / x0.01 ±10
Màu vàng / x0.1 ±5
Màu đen 0 +0 /
Màu nâu 1 x10 ±1
Màu đỏ 2 x100 ±2
Màu cam 3 x1000 /
Màu vàng 4 x10000 /
5 x100000 ±0.5
Màu xanh lam 6 x1000000 ±0.2
Màu tím 7 x10000000 ±0.1
Màu xám 8 x100000000 /
Màu trắng 9 x1000000000 /

Hai, Tụ điện
Tụ điện trong mạch điện thường được ký hiệu bằng chữ "C" kèm theo số, ví dụ như C13 đại diện cho tụ điện có số thứ tự là 13. Tụ điện được tạo thành từ hai màng kim loại đặt gần nhau, giữa chúng là vật liệu cách điện. Đặc điểm chính của tụ điện là ngăn dòng điện một chiều và cho dòng điện xoay chiều đi qua. game rikvip Dung lượng của tụ điện thể hiện khả năng lưu trữ năng lượng điện, sự cản trở của tụ đối với tín hiệu xoay chiều gọi là điện kháng dung, nó phụ thuộc vào tần số tín hiệu và dung lượng của tụ.
Điện kháng dung XC = 1/2πf c (trong đó f là tần số của tín hiệu xoay chiều, C là dung lượng của tụ điện). Các loại tụ điện thường dùng trong máy điện thoại bao gồm: tụ điện điện phân, tụ điện gốm, tụ điện gắn bề mặt, tụ điện đơn tinh thể, tụ điện tantalum và tụ điệ

Phương pháp nhận diện: Cách nhận diện tụ điện tương tự như cách nhận diện điện trở, bao gồm ghi trực tiếp, ghi bằng màu sắc và ghi bằng số. Đơn vị cơ bản của tụ điện là fara (F), các đơn vị khác bao gồm milifarad (mF), microfarad (µF), nanofarad (nF) và picofarad (pF). Trong đó: 1 fara = 10³ milifarad = 10⁶ microfarad = 10⁹ nanofarad = 10¹² Tụ điện có dung lượng lớn sẽ được ghi rõ trên thân tụ, ví dụ: 10 µF/16V. Tụ điện có dung lượng nhỏ sẽ được ghi bằng chữ hoặc số. Phương pháp ghi bằng chữ: 1m = 1000 µF; 1P2 = 1,2 pF; 1n = 1000 pF. kết quả bóng đá anh Phương pháp ghi bằng số: thường sử dụng ba chữ số để chỉ dung lượng, hai chữ số đầu là số hiệu, chữ số thứ ba là hệ số nhân. Ví dụ: 102 biểu thị 10 × 10² pF = 1000 pF; 224 biểu thị 22 × 10⁴ pF = 0,22 µF.

3. Bảng sai số dung lượng tụ điện: Ký hiệu F G J K L M Sai số cho phép ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% Ví dụ: Một tụ gốm có ký hiệu 104J biểu thị dung lượng là 0,1 µF và sai số là ±5%.

Ba, Điốt bán dẫn
Điốt bán dẫn thường được ký hiệu bằng "D" kèm theo số trong mạch điện, ví dụ: D5 biểu thị điốt có số thứ tự là 5.
Tác dụng: Đặc tính chính của diode là dẫn điện theo một hướng, tức là khi có điện áp thuận, điện trở dẫn rất nhỏ; còn khi có điện áp ngược, điện trở dẫn rất lớn. kết quả bóng đá trực tiếp Chính vì đặc tính này, diode thường được sử dụng trong máy điện thoại không dây ở các mạch chỉnh lưu, cách ly, ổn áp, bảo vệ, điều khiển mã hóa, điều chế tần số và giảm nhiễu. Trong máy điện thoại, các diode được phân loại dựa trên chức năng như: diode chỉnh lưu, diode cách ly, diode Schottky, diode phát sáng, diode ổn áp, v.

2. Phương pháp nhận diện: Việc nhận diện diode khá dễ dàng. Trên bề mặt diode công suất nhỏ, cực âm (N) thường được đánh dấu bằng một vạch màu. Một số diode cũng dùng ký hiệu để chỉ ra cực P (dương) hoặc N (âm), hoặc sử dụng ký hiệu “P” và “N” để xác định cực tính của diode. Đối với diode phát sáng, cực dương và âm có thể được xác định qua độ dài của chân, chân dài là dương, chân ngắn là âm.

3. Lưu ý khi kiểm tra: Khi sử dụng đồng hồ vạn năng số để kiểm tra diode, đầu đỏ nối với cực dương của diode, đầu đen nối với cực âm, lúc này giá trị điện trở đo được chính là điện trở dẫn của diode. Điều này ngược lại với cách kết nối của đồng hồ vạn năng kim.

4, Các điốt 1N4000 thông dụng có khả năng chịu áp suất như sau:
Mã số 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007
Áp suất (V) 50 100 200 400 600 800 1000
Dòng điện (A) Đều là 1

Bốn, Điốt ổn áp
Điốt ổn áp thường được ký hiệu bằng "ZD" kèm theo số trong mạch điện, ví dụ: ZD5 biểu thị điốt ổn áp có số thứ tự là 5.
1) Nguyên lý ổn áp của diode ổn áp: Đặc điểm nổi bật của diode ổn áp là sau khi bị đánh thủng, điện áp ở hai đầu sẽ giữ nguyên. Do đó, khi mắc diode ổn áp vào mạch điện, nếu điện áp nguồn dao động hoặc do nguyên nhân khác khiến điện áp trong mạch thay đổi, điện áp ở tải sẽ giữ nguyên.
2) Đặc điểm hư hỏng: Hư hỏng chính của diode ổn áp chủ yếu là mở mạch, ngắn mạch hoặc điện áp ổn định không ổn định. Trong ba trường hợp này, trường hợp đầu tiên thể hiện điện áp nguồn tăng lên; hai trường hợp sau thể hiện điện áp nguồn giảm xuống 0 hoặc không ổn định.
3, Mã và giá trị ổn áp của các điốt ổn áp thông dụng như bảng sau:
Mã số 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 Điện áp ổn định 3,3V
3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V

Năm, Cuộn cảm
Cuộn cảm trong mạch điện thường được ký hiệu bằng chữ "L" kèm theo số, ví dụ: L6 đại diện cho cuộn cảm có số thứ tự là 6. Cuộn cảm được làm bằng dây dẫn cách điện quấn quanh lõi cách điện.
Dòng điện một chiều có thể đi qua cuộn cảm, điện trở một chiều chính là điện trở của dây dẫn, sụt áp rất nhỏ. Khi tín hiệu xoay chiều đi qua cuộn cảm, sẽ xuất hiện suất điện động tự cảm ở hai đầu cuộn cảm, hướng ngược với điện áp bên ngoài, cản trở dòng điện xoay chiều. Do đó, đặc điểm của cuộn cảm là cho dòng một chiều đi qua và cản dòng xoay chiều, tần số càng cao thì trở kháng của cuộn cảm càng lớn. Cuộn cảm có thể kết hợp với tụ điện để tạo thành mạch dao động.

Thông thường cuộn cảm được ghi trực tiếp hoặc ghi bằng màu sắc, phương pháp ghi bằng màu sắc tương tự như điện trở. Ví dụ: nâu, đen, vàng, vàng biểu thị 1 µH (sai số 5%). Đơn vị cơ bản của cuộn cảm là henry (H), đơn vị chuyển đổi là: 1H = 10³mH = 10⁶µH.

Sáu, Điốt biến dung
Diode biến dung được thiết kế đặc biệt dựa trên nguyên lý rằng điện dung của "kết nối PN" bên trong diode có thể thay đổi khi điện áp ngược được áp dụng. Diode biến dung thường được sử dụng trong mạch điều chế tần số cao của máy điện thoại không dây, giúp chuyển tín hiệu tần số thấp lên tần số cao và truyền đi. Trong trạng thái hoạt động, điện áp điều chế thường được áp vào cực âm, khiến điện dung kết nối bên trong diode thay đổi theo điện áp điều chế.

Khi điốt biến dung bị hỏng, chủ yếu biểu hiện là rò điện hoặc tính năng kém đi:
(1) Khi xảy ra hiện tượng rò điện, mạch điều chế tần số cao sẽ không hoạt động hoặc khả năng điều chế kém đi.
(2) Khi tính năng biến dung của diode suy giảm, mạch điều chế tần số cao sẽ không ổn định, khiến tín hiệu tần số cao sau khi điều chế bị méo khi người nhận nhận được. Khi xảy ra tình huống trên, nên thay thế bằng diode biến dung cùng.

Bảy, Transistor ba cực
Transistor ba cực thường được ký hiệu bằng "Q" kèm theo số trong mạch điện, ví dụ: Q17 biểu thị transistor ba cực có số thứ tự là 17.
1. Đặc điểm: Transistor (gọi tắt là transistor) là linh kiện có chứa 2 mối nối PN và có khả năng khuếch đại. Nó được chia thành hai loại là NPN và PNP. Hai loại này có thể bổ sung lẫn nhau về đặc điểm hoạt động. Ví dụ, cặp transistor trong mạch OTL được ghép bởi transistor PNP và NPN. Trong máy điện thoại, các transistor PNP phổ biến bao gồm: A92, 9015; các transistor NPN phổ biến bao gồm: A42, 9014, 9018, 9013, 9012.

2. Transistor thường được sử dụng trong mạch khuếch đại để thực hiện chức năng khuếch đại. Trong mạch điện thông thường, có ba cách mắc. Để dễ so sánh, bảng dưới đây liệt kê các đặc điểm của ba cách mắc transistor:

Tên gọi Mạch phát xạ chung Mạch tập điện chung (cầu phát xạ) Mạch nền chung

Trở kháng đầu vào Trung bình (trăm ôm đến vài nghìn ôm) Lớn (vài chục nghìn ôm trở lên) Nhỏ (vài ôm đến vài chục ôm)

Trở kháng đầu ra Trung bình (vài nghìn ôm đến vài chục nghìn ôm) Nhỏ (vài ôm đến vài chục ôm) Lớn (vài chục nghìn ôm đến vài trăm nghìn ôm)

Hệ số khuếch đại điện áp Lớn Nhỏ (nhỏ hơn 1 và gần bằng 1) Lớn

Hệ số khuếch đại dòng điện Lớn (vài chục) Lớn (vài chục) Nhỏ (nhỏ hơn 1 và gần bằng 1)

Hệ số khuếch đại công suất Lớn (khoảng 30–40 decibel) Nhỏ (khoảng 10 decibel) Trung bình (khoảng 15–20 decibel)

Tính chất tần số Tần số cao kém Tốt Tốt

Ứng dụng Trong tầng trung gian của bộ khuếch đại đa cấp, tầng đầu của mạch khuếch đại hoặc dùng để ghép trở kháng Trong mạch tần số cao hoặc mạch rộng dải và mạch nguồn dòng cố định

Tám, Mạch khuếch đại transistor hiệu ứng trường

1. Transistor hiệu ứng trường có ưu điểm là trở kháng đầu vào cao và nhiễu thấp, do đó được sử dụng rộng rãi trong nhiều thiết bị điện tử. Đặc biệt, khi sử dụng transistor hiệu ứng trường làm tầng đầu của thiết bị điện tử, có thể đạt được hiệu suất mà transistor thông thường khó đạt được.

2. Transistor hiệu ứng trường được chia thành hai loại chính là transistor hiệu ứng trường kiểu nối và transistor hiệu ứng trường cách điện. Nguyên lý điều khiển của cả hai loại này giống nhau. Hình 1-1-1 là ký hiệu biểu diễn của hai loại:
3, So sánh giữa transistor hiệu ứng trường và transistor transistor hiệu ứng trường là linh kiện kiểm soát điện áp, trong khi transistor là linh kiện kiểm soát dòng điện.
Trong trường hợp chỉ được lấy ít dòng điện từ nguồn tín hiệu, nên chọn transistor hiệu ứng trường; trong khi đó, khi điện áp tín hiệu thấp nhưng cho phép lấy nhiều dòng điện hơn từ nguồn tín hiệu, nên chọn transistor thông thường.

Transistor hiệu ứng trường hoạt động dựa trên các hạt mang điện đa số, do đó được gọi là linh kiện đơn cực. Trong khi đó, transistor thông thường sử dụng cả hạt mang điện đa số và thiểu số, do đó được gọi là linh kiện kép cực.

Một số transistor hiệu ứng trường có thể đảo ngược cực nguồn và cực thoát, điện áp cổng có thể dương hoặc âm, tính linh hoạt cao hơn so với transistor thông thường. Transistor hiệu ứng trường có thể hoạt động ở dòng điện và điện áp rất nhỏ, đồng thời quá trình sản xuất của nó có thể dễ dàng tích hợp nhiều transistor hiệu ứng trường trên cùng một tấm silicon, do đó transistor hiệu ứng trường được sử dụng rộng rãi trong mạch tích hợp quy mô lớn.